Вспомогательное буферное запоминающее устройство телевизионных графических СОИ

Трег = ТС mP Ö(NНК) / NЭС.

В качестве примера составим структурную схему модуля ВБЗУ для полнографического СОИ телевизионного типа при NЭС = NЭВ = 512, bТ = 0.75, bВ = 0.9, a0 = 0.18, изображение строится без полутонов, т.е. NАП = 2.

Тогда

nВБЗУW = ] log2 NАП [ = ] log2 2 [ = 1;

CВБЗУW = NЭС * NЭВ * nВБЗУW = 512 * 512 * 1 = 256Kx1.

Принимая информационную емкость БИС ОЗУ НК 64Кх1 с временем выборки tв £ 120 нс, имеем

ТЭ = bГ (1 - aС) / (NЭС fС) = 0.82 * 0.75 / (512 * 15625) = 77 нс;

при tDRG £ 30 нс

mR ³ 120 / (77 – 30) = 3 » 4;

nВБЗУR ³ nВБЗУW * mR = 1 * 4 = 4;

mP= ] nВБЗУR / nНК [ = ] 4 / 1 [ = 4;

NВБЗУR = NВБЗУW / mR = 256K / 4 = 64K;

mC = ] NВБЗУR / NНК [ = ] 64K / 64K [ = 1.

На основании полученных результатов построим функциональную схему ВБЗУ. При этом будем иметь ввиду, что требуемую емкость ВБЗУ для записи (256Кх1) следует нарастить из четырех БИС ОЗУ НК. Запись информации будет происходить поочередно в одноименные ячейки памяти (с одинаковым адресом) каждый ИМС. Для этого младшие разряды А1 и А2 счетчика адреса записи CrABX возможно подавать на вход дешифратора DC двоичного кода в унитарный десятичный, а выбор ИМС – осуществить по входу “ВК” (выбор кристалла). Остальные адресные разряды счетчиков CrABX и CrABY (выходы соответствующих мультиплексоров MSX и MSY) подадим на объединенные адресные входы БИС. Информационные входы БИС объединим и подключим к выходу Q ГВ.

Организацию ВБЗУ (64Кх4) в режиме чтения обеспечим перестройкой матрицы накопителей таким образом, чтобы получить одну строку (mC =1) с четырьмя БИС в строке (mP =4).Это осуществим с помощью счетверенного двухканального мультиплексора MS.

В режиме записи MS обеспечит подключение ко входам ВК выходов DC номера ряда матрицы накопителей.

В режиме чтения (256Кх1) – на входы ВК всех ИМС подадим логическую “1”, что приведет к увеличению разрядности информационных слов (nВБЗУR =4). Сигнал адреса чтения подадим с выходов счетчиков CrAPX и CrAPY на объединенные адресные входы всех БИС.

Для преобразования параллельного выходного кода модулей ВБЗУ в сигнал яркостной модуляции ЭЛТ применим комбинационный регистр RG, осуществляющий параллельное занесение информации с приходом сигнала записи (каждый четвертый тактовый импульс), а в паузе между ними (интервал чтения) – последовательный сдвиг информации с тактовой частотой fТГ. Разрядность RG определяется mP.

Перейти на страницу: 1 2 

Другие публикации

Проектирование цифрового измерителя емкости и индуктивности
Измерители индуктивности и емкости находят широкое применение как на производстве так и в радиолюбительской практике. Как правило, это малогабаритные приборы низк ...

Электрические и электронные аппараты
Энергетика как отрасль промышленности обладает рядом особенностей, резко выделяющих энергетическое производство из других отраслей промышленности. Важнейшая особен ...

Меню

Copyright @2021, TECHsectors.ru.