Вспомогательное буферное запоминающее устройство телевизионных графических СОИ

Как было показано при рассмотрении структурной схемы полнографического СОИ телевизионного типа, ВБЗУ должно иметь большую информационную емкость, определяемую числом точек дискретизации информационного поля, и высокое быстродействие.

В связи с этим для построения модуля ВБЗУ широко используют БИС ОЗУ НК динамического типа, обладающие максимальной информационной плотностью на кристалл при низкой удельной стоимости на бит информации. К сожалению выпускаемые БИС этого типа имеют небольшую информационную емкость до 1Мбит (в основном до 256 Кбит). Время выборки tв БИС МДП‑технологии в пределах 100-200 нс. Недостатком динамических ОЗУ является необходимость организации процесса регенерации содержимого памяти в связи с ограниченным сроком хранения информации в этих ИМС. Обычно период регенерации £ 2мс.

Время выборки ВБЗУ относительно адреса БИС ОЗУ при непосредственном съеме информации в канал формирования видеосигналов должно быть tв £ ТЭ. Это условие выполняется при относительно небольшом числе ЭО в строке. Поэтому при большом числе точек организуют параллельный вывод информации, в связи с чем разрядность ячейки памяти ВБЗУ в режиме записи nВБЗУW и в режиме чтения nВБЗУR будут различны:

nВБЗУR ³ nВБЗУW * mR,

где mR - коэффициент увеличения разрядности ВБЗУ при чтении:

mR ³ tв ВБЗУ / (ТЭ - tDRG),

где tDRG - время задержки в выходном регистре ВБЗУ.

В то же время запись информации в ВБЗУ производится побитно для черно-белого изображения или с разрядностью nВБЗУW при кодировании признаков цветности или градации яркости.

Следовательно, ВБЗУ строится по принципу памяти с переменной организацией. При записи -

CВБЗУW = NВБЗУW * nВБЗУW;

при чтении

CВБЗУR = NВБЗУR * nВБЗУR.

При сохранении постоянной информационной емкости ВБЗУ в обоих режимах изменение разрядности ячеек памяти приводит к изменению их числа [приравнять (в) и (с) и учесть (а)]:

NВБЗУR = NВБЗУW / mR.

При синтезе модуля ВБЗУ из БИС ОЗУ НК емкостью

CНК = NНК * nНК,

где NНК и nНК - число ячеек памяти накопителя и их разрядность, число ИМС, требуемых для наращивания разрядности

mP = ] nВБЗУR / nНК [,

а число рядов матрицы накопителей, необходимое для наращивания объема ВБЗУ с целью получения требуемого количества NВБЗУ ячеек памяти

mСТ = ] NВБЗУR / NНК [.

Информация с выхода модульного БИС ОЗУ представлена nВБЗУR - разрядным параллельным кодом. Для преобразования ее в импульсы яркостной модуляции (последовательный код) применяют комбинированный регистр (параллельный ввод – последовательный вывод). При этом частота сдвига определяется fТГ, а цикличность преобразования (частота поступления сигналов Зп/Чт) –

fЗп/Чт = fТГ / mP.

В большинстве динамических ЗУ регенерация осуществляется при обращении (записи или считывании) по строке (столбцу). Это означает, что регенерируется содержимое всех ячеек памяти, находящихся в одной строке (столбце) с адресуемой.

При регенерации телевизионного изображения осуществляется последовательное считывание содержимого ВБЗУ по строкам. Обращение ко всем NЭС элементам одной строки ВБЗУ при квадратной матрице происходит за период регенерации памяти

Перейти на страницу: 1 2

Другие публикации

Общие сведения о системах и сетях радиодоступа
С изобретением радиосвязи великим русским ученым А.С. Поповым (1895 г.) беспроводная связь из научно-фантастической абстракции, представляющей интерес для узкого кру ...

Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2
В настоящее время машинные методы все шире используются при разработке радиоэлектронной аппаратуры. Особенно большое эти методы имеют при проектировании интегральных ...

Меню

Copyright @2020, TECHsectors.ru.