Конструкции варикондов

Наиболее распространенной конструкцией варикондов является дисковая с диаметром от I до 25 мм и толщиной 0,4—0,8 мм; для малых номинальных значений емкости варикопды делаются в виде шарика, для средних—в виде диска, для больших — в виде блока, состоящего из нескольких параллельно включенных дисков.

При изготовлении варикондоп из материалов ВК-1÷БК-7 в виде дисков получают значения номинальной емкости в следующих пределах:

ВК-1…….10 пф— 0,15 мкф

ВК-2…….10 пф— 0,22 мкф

ВК-3…….100 пф—1,0 мкф

ВК-4…….10 пф— 0,1 мкф

ВК-5…….10 пф— 0,01мкф

ВК-6…….10— 1000 пф

ВК-7…….1— 1000 пф

Из материалов ВК-2 и ВК-4 вариконды изготовляются в серийном производстве по техническим условиям УБО.460.038ТУ, из материалов ВК-З, ВК-5, ВК-6, ВК-7— в условиях опытного производства.

По конструктивному оформлению вариконды из ВК-2 и ВК-4 не отличаются друг от друга; из материала ВК-2 изготовляется 9 видов варикондов, а из ВК-4 — семь. Для варикондов, обозначенных ВК2-ЗШ и ВК2-БШ, используется только материал ВК-2. В табл.1.1 приведены вид, номинальная емкость, форма и размеры варикондов, изготовляемых в серийном производстве из материалов ВК-2 и ВК-4.Сокращенное наименование вида вариконда складывается из сокращенного слова «вариконд» (ВК), цифры, обозначающей тип массы (2 или 4) с температурой Кюри +75±10°С и 110±10°С соответственно, и цифры (или буквы), указывающей тип вариконда.

Таблица 1.1

Вариконды ВК2-М и ВК4-М являются малогабаритными; они оформляются в виде шарика диаметром 1,5— 2 мм; изделия изготовляются на два номинальных значения емкости — 10 и 22 пф. Вариконды ВК2-ЗШ и ВК2-БШ предназначены для использования в качестве шунтов индуктивности. По размерам и номинальным значениям емкости вариконды ВК2-ЗШ соответствуют варикондам ВК2-3, а вариконды ВК2-БШ — варикондам ВК2-Б и отличаются от них только тем, что имеют две пары выводов от каждой металлической обкладки. Вариконды остальных видов имеют форму дисков диаметром от 4 до 25 мм.

Коэффициент нелинейности варикондов по напряжению переменного тока K~= Смакс/Снач не менее 7 для ВК2-Б, ВК2-БШ и ВК4-Б и не менее 8 — для всех остальных видов варикондов.

Интервал рабочих температур для варикондов из материалов ВК-2 от —40 до +60° С; ВК-4 от —40 до + 85°С при относительной влажности воздуха до 98%.

Сопротивление изоляции в нормальных условиях для серии варикондов от ВК2-0 и ВК4-0 до ВК2-4 и ВК4-4 не менее 5 000 Мом и для ВК2-М, ВК4-М, ВК2-ЗШ, ВК2-Б, ВК2-БШ и ВК4-Б не менее 500 Мом.

Все типы варикондов выдерживают без повреждения, пробоя и поверхностного разряда кратковременное воздействие постоянного испытательного напряжения 400 в и длительное воздействие напряжения 160 в при частоте 1 000 гц, рабочее напряжение 100 в для варикондов ВК-2 и 160 в для варикондов ВК-4. В табл.1.2 приведены основные характеристики варикондов ВК-2 и ВК-4.

Таблица 1.2

Номинальная емкость у всех видов варикондов, кроме блоков, измеряется при напряжении 2 в и частоте 1 000 гц; а у варикондов-блоков — при напряжении 5 в и частоте 50 гц. Допустимое отклонение емкости от номинала составляет от —20 до +50%. При дополнительной отбраковке допуски могут быть снижены.

Для предохранения поверхности варикондов от загрязнения последние покрываются защитным лаком или компаундом красного цвета. Отдельные типы варикондов, как, например, вариконд ВК2-М, ВК4-М, покрываются эпоксидной смолой белого цвета.

При увеличении напряжения емкость варикондов возрастает. ак для материала ВК-2 при напряжении Uмакc=60÷100 в и ВК-4 при напряжении 80—120 в она достигает максимального значения, которое в 8— 10 раз превышает номинальное значение.

Кроме таких варикондов разрабатываются и другие виды на более высокое рабочее напряжение, более резкую зависимость емкости от напряжения, а также с повышенной температурной стабильностью характеристик.

Другие публикации

Разработка электронного функционального устройства, реализующего передаточную функцию
Целью настоящего курсового проекта является разработка электронного функционального устройства реализующего заданную передаточную функцию. Разработка устройства ...

Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя
Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топ ...

Меню

Copyright @2021, TECHsectors.ru.