Расчёт первого каскада

Первый каскад, для увеличения входного сопротивления усилителя, а как следствие и увеличения коэффициента передачи по напряжению входной цепи, будет выполнен на полевом транзисторе. Отличие усилительного каскада на ПТ от эмиттерного повторителя (который также имеет высокое входное сопротивление) в том, что коэффициент усиления по напряжению каскада на ПТ больше 1 (реально К=1 5 в зависимости от транзистора). Расчёт каскада на полевом транзисторе несколько отличается от расчёта каскадов на биполярном транзисторе. Это несёт важную методическую функцию - при расчете одного усилителя мы разобрали три различных методики расчета каскадов на полевом/биполярном транзисторах в схемах включения с ОК и ОЭ (ОИ).

Во входном каскаде используем МДП-транзистор со встроенным n-каналом КП313А:

пФ, пФ, В, мА, мВт, мкСм, нА.

Найдём крутизну транзистора в рабочей точке

(мА, В, В) из графиков, представленных в справочнике:

мСм.

По нагрузочной прямой находим :

Ом.

Проведем расчет термостабилизации каскада:

Где: А – изменение тока утечки затвора от температуры.

- допустимое изменение тока стока в рабочей точке.

В – сдвиг напряжения между затвором и истоком при изменении температуры.

МОм – сопротивление в цепи затвора характеризует входное сопротивление каскада.

Ом.

Отрицательное значение означает, что в выбранном режиме транзистор не нуждается в стабилизации.

Следовательно

Ом (по ряду номиналов возьмем Ом).

Расчёт на СЧ:

Схема замещения:

Найдем номинальный коэффициент усиления каскада:

Ом.

Расчёт на ВЧ:

Схема замещения:

Коэффициент частотных искажений на ВЧ будет равен:

, где ,

Ом,

пФ.

.

.

Расчёт на НЧ:

Схема замещения:

Найдем значение разделительной емкости Допустимые частотные искажения

тогда:

Перейти на страницу: 1 2

Другие публикации

Разработка электронного функционального устройства, реализующего передаточную функцию
Целью настоящего курсового проекта является разработка электронного функционального устройства реализующего заданную передаточную функцию. Разработка устройства ...

История развития твердотельной электроники
Ровно 54 года назад американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли (рис. 1) была присуждена Нобелевская премия по физике «За исследования в област ...

Меню

Copyright @2021, TECHsectors.ru.