Построение входной и выходной статистических характеристик транзистора

На рисунке 3, выполненном на миллиметровой бумаге, построены входная и выходные характеристики транзистора МП-20А. Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой является график зависимости тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянном значении Uкэ: Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const. Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы. Iк=φ(Uкэ) при Iб=const. Крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ=0 до |Uкэ| = |Uбэ| =0,08 В велика. На участке |Uкэ| > |Uбэ| крутизна характеристик уменьшается, и они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от величины тока базы.

Значения токов базы рассчитывается, начиная с самой нижней кривой, соответствующей I0б=0. Значение ∆ Iб=0,1 мА приведено в правом верхнем углу графиков выходных статических характеристик приложения В. Следовательно:

I0б

0

I0б=0 мА

Iб1= I0б +∆ Iб

0+0,1

Iб1=0,1 мА

Iб2= Iб1 +∆ Iб

0,1+0,1

Iб2=0,2 мА

Iб3= Iб2 +∆ Iб

0,2+0,1

Iб3=0,3 мА

Iб4= Iб3. +∆ Iб

0,3+0,1

Iб4=0,4 мА

Iб5= Iб4+∆ Iб

0,4+0,1

Iб5=0,5 мА

Другие публикации

Unix-подобные системы
UNIX — группа переносимых, многозадачных и многопользовательских операционных систем. Первая система UNIX была разработана в 1969 г. в подразделении Bell Labs ком ...

Эксплуатационные измерения канального уровня
К группе измерений канального уровня можно отнести следующие группы измерений: - измерения параметров битовых ошибок; - измерения блоковых ошибок, в том числе о ...

Меню

Copyright @2019, TECHsectors.ru.