Расчет геометрических размеров резисторов

Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев транзисторной структуры или из поликремния.

Исходными данными при проектировании резисторов являются: номинал – R, поверхностное сопротивление слоя, на котором он изготовляется – RS, мощность рассеяния – P; погрешность номинала – YR, температурный диапазон работы – ΔT, bmin, погрешности изготовления – ; удельная мощность рассеяния – P0 и т.д [3].

В диапазоне номиналов от 100 Ом до 50 кОм резисторы изготовляют на основе базового слоя микросхемы. Его обычные параметры:

Расчет начинаем с определения коэффициента формы:

.(2.13)

Если Кф > 1, то расчет начинаем с расчета b

Если Кф < 1, то расчет начинаем с расчета l

Если R = 50…1000 Ом, тогда резисторы делаются прямоугольной формы.Если R > 1…2 кОм, то рекомендуется изготавливать резистор сложной формы с любым числом изгибов и любой длиной прямоугольных участков.

,(2.14)

где

-минимальная ширина резистора, обеспечивающая необходимую рассеиваемую мощность;

-минимальная эффективная ширина резистора, обеспечивающая заданную точность изготовления.

,(2.15)

,(2.16)

,(2.17)

где

YКф-относительная погрешность изготовления резисторов;

YR-относительная погрешность номинала резистора;

YRs-относительная погрешность поверхностного сопротивления;

-относительная погрешность изменения номинала при изменении температуры.

Затем зная bрасч и Кф определяем lрасч,

lрасч = Кф∙bрасч.(2.18)

Рассчитав предварительную длину и ширину резистора необходимо проверить соотношения:

-для резистора прямоугольной формы

,(2.19)

где

k-коэффициент приконтактной области. (Определяется по таблицам, графикам и монограммам.)

-для резистора сложной формы

,(2.20)

где

n-число прямоугольных участков;

(n-1)-число изгибов;

0,55-коэффициент, учитывающий один изгиб.

При этом следует помнить, что bрасч это эффективная, а не топологическая ширина резистора.

,(2.21)

где

bрасч-топологическая ширина резистора (ширина на фотошаблоне);

-расползание диффузии в боковую область при диффузии.

.(2.22)

Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя

Принципиальная электрическая схема генератор представленная в приложении . Она состоит из 35 элементов, из них: 14 n-p-n транзистора, 8 p-n-p транзисторов, 6 резисторов и 7 планарных транзисторов с инжекционным питанием (И2Л – логика). Таким образом, для создания библиотеки элементов цифра – аналогового преобразователя необходимо рассчитать геометрические размеры 1 n-p-n транзистора, 1 p-n-p транзисторов и резистора.

Другие публикации

Модуль сжатия речевых сигналов цифровой АТС
Методы цифровой обработки и передачи речевых сигналов в настоящее время интенсивно развиваются. Это, прежде всего, обусловлено прогрессом в области цифровой ми ...

Расчет проекта сети на основе коаксиального кабеля
Период времени с начала перехода страны к рыночным отношениям позволяет сделать некоторые выводы относительно современных направлений, особенностей и перспек ...

Меню

Copyright @2020, TECHsectors.ru.