Общие принципы построения топологии биполярных Имс

Общего подхода к проектированию биполярных интегральных микросхем нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями в зависимости от требований и исходных данных ИМС. Исходными данными при конструировании микросхем являются: принципиальная электрическая схема с номинальными допусками на электрические параметры элементов, базовый технологический процесс с указанием технологических допусков. Принципиальная схема разрабатываемой ИМС широкополосного усилителя приведена на рисунке 1.1, а электрические параметры на данную схему в таблице 1.

Рисунок 1.1 – Принципиальная схема широкополосного усилителя

Таблица 1.

Номер резистора

Ri, кОм

γRi, %

PRi, мВт

Номер транзистора

Imaxэ, мА

Uкв, В

Номер диода

Igi, мА

Uкв, В

1,5

4,2

20

1,0

1-5

4

12

1,2

2,8

12

2,4

1,0

20

1,0

6,7

4

12

3

0,1

15

4,0

8,9

8

12

6

2,65

18

1,5

7

0,7

16

4,2

Tmax = 950C

8,9

5,4

20

1,0

Tmin = -500C

Другие публикации

Усовершенствование материнской платы
Тема дипломной работы – "Усовершенствование материнской платы", являющаяся предметом исследования. Цель работы – выяснить неблагоприятные факторы работы м ...

Нелинейное представление информации, гипертекст и его использование в коммуникации
В эпоху современных информационных технологий новые формы коммуникации получают стремительное распространение. Наряду с привычным средствами массовой информации (прес ...

Меню

Copyright @2020, TECHsectors.ru.