Общего подхода к проектированию биполярных интегральных микросхем нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями в зависимости от требований и исходных данных ИМС. Исходными данными при конструировании микросхем являются: принципиальная электрическая схема с номинальными допусками на электрические параметры элементов, базовый технологический процесс с указанием технологических допусков. Принципиальная схема разрабатываемой ИМС широкополосного усилителя приведена на рисунке 1.1, а электрические параметры на данную схему в таблице 1.
Рисунок 1.1 – Принципиальная схема широкополосного усилителя
Таблица 1.
Номер резистора |
Ri, кОм |
γRi, % |
PRi, мВт |
Номер транзистора |
Imaxэ, мА |
Uкв, В |
Номер диода |
Igi, мА |
Uкв, В |
1,5 |
4,2 |
20 |
1,0 |
1-5 |
4 |
12 |
1,2 |
2,8 |
12 |
2,4 |
1,0 |
20 |
1,0 |
6,7 |
4 |
12 | |||
3 |
0,1 |
15 |
4,0 |
8,9 |
8 |
12 | |||
6 |
2,65 |
18 |
1,5 | ||||||
7 |
0,7 |
16 |
4,2 |
Tmax = 950C | |||||
8,9 |
5,4 |
20 |
1,0 |
Tmin = -500C |
Другие публикации
Основные свойства и методы расчета линейных цепей постоянного тока
Электротехника
- это наука о техническом (т.е. прикладном) использовании электрических и
магнитных явлений. Большое значение электротехники заключается в том, что ...
Особенности записи сигналов изображения
Физические процессы, протекающие при магнитной записи сигналов
изображения (видеосигналов), такие же, как при записи звуковых сигналов.
Однако, отличие характеристик ...