|
Номинальная мощность резистора R1 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R2 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R3 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R4 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R5 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R6 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R7 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальная мощность резистора R8 |
P, Вт |
0,125 |
|
Номинальное напряжение пьезокерамического излучателя звука BF1 |
U, В |
12 |
|
Максимальная мощность , рассеиваемая на коллекторе транзистора VT1 |
P, Вт |
8 |
|
Максимальный ток диода VD1 |
I , мА |
200 |
|
Номинальное напряжение конденсатора С1 |
U, В |
35 |
|
Номинальное напряжение конденсатора С2 |
U, В |
50 |
|
Номинальное напряжение конденсатора С3 |
U, В |
50 |
|
Номинальное напряжение конденсатора С4 |
U, В |
25 |
|
Номинальное напряжение конденсатора С5 |
U, В |
16 |
|
Номинальное напряжение микросхемы 1-К561ЛА7 |
U, В |
10 |
|
Номинальное напряжение микросхемы 2-К561ЛА7 |
U, В |
10 |
|
Номинальное напряжение микросхемы 3-К561ЛА7 |
U, В |
10 |
|
Номинальное напряжение микросхемы 4-К561ЛА7 |
U, В |
10 |
|
kR1 |
0,448 |
l0 R1 |
0,5*10^7 |
a R1 |
0,3 |
lR1 |
0,15*10^7 |
|
kR2 |
0,4 |
l0 R2 |
0,5*10^7 |
a R2 |
0,22 |
lR2 |
0,11*10^7 |
|
kR3 |
0,528 |
l0 R3 |
0,5*10^7 |
a R3 |
0,3 |
lR3 |
0,15*10^7 |
|
kR4 |
0,232 |
l0 R4 |
0,5*10^7 |
a R4 |
0,18 |
lR4 |
0,09*10^7 |
|
kR5 |
0,488 |
l0 R5 |
0,5*10^7 |
a R5 |
0,3 |
lR5 |
0,15*10^7 |
|
kR6 |
0,128 |
l0 R6 |
0,5*10^7 |
a R6 |
0,18 |
lR6 |
0,09*10^7 |
|
kR7 |
0,696 |
l0 R7 |
0,5*10^7 |
a R7 |
0,52 |
lR7 |
0,26*10^7 |
|
kR8 |
0,352 |
l0 R8 |
0,5*10^7 |
a R8 |
0,22 |
lR8 |
0,11*10^7 |
|
kC1 |
0,671 |
l0 C1 |
1,4*10^7 |
a C1 |
0,6 |
lC1 |
0,84*10^7 |
|
kC2 |
0,68 |
l0 C2 |
1,4*10^7 |
a C2 |
0,6 |
lC2 |
0,84*10^7 |
|
kC3 |
0,704 |
l0 C3 |
1,4*10^7 |
a C3 |
0,6 |
lC3 |
0,84*10^7 |
|
kC4 |
0,856 |
l0 C4 |
1,4*10^-7 |
a C4 |
1 |
lC4 |
0,6*10^-7 |
|
kC5 |
0,755 |
l0 C5 |
2,4*10^-7 |
a C5 |
0,9 |
lC5 |
2,16*10^-7 |
|
kVD1 |
1 |
l0 VD1 |
0,6*10^-7 |
a VD1 |
1 |
lVD1 |
0,6*10^-7 |
|
kVT1 |
0,562 |
l0 VT1 |
4*10^-7 |
a VT1 |
0,65 |
lVT1 |
2,6*10^-7 |
|
kBF1 |
0,36 |
l0 BF1 |
0,05*10^-7 |
a BF1 |
20 |
lBF1 |
1*10^-7 |
|
k ис1 |
0,624 |
l0 ис1 |
0,8*10^-7 |
a ис1 |
0,62 |
lис1 |
0,5*10^-7 |
|
k ис2 |
0,578 |
l0 ис2 |
0,8*10^-7 |
a ис2 |
0,62 |
lис2 |
0,5*10^-7 |
|
k ис3 |
0,527 |
l0 ис3 |
0,8*10^-7 |
a ис3 |
0,62 |
lис3 |
0,5*10^-7 |
|
k ис4 |
0,615 |
l0 ис4 |
0,8*10^-7 |
a ис4 |
0,62 |
lис4 |
0,5*10^-7 |
Другие публикации
Теория надежности
Теория надежности – научная дисциплина, в которой разрабатываются и
изучаются методы обеспечения эффективности работы объектов (изделий, устройств,
систем и т.п.) в проце ...
Организация работ по строительству волоконно-оптической линии связи (ВОЛС)
Настоящий дипломный проект с необходимыми расчетами,
обосновывающий целесообразность проектирования и строительства Восточного
кольца зоновой сети связи Республики Ба ...