Каналы утечки информации в волоконно-оптических сетях

Основные физические принципы формирования каналов утечки в ВОЛС можно разделить на следующие типы:

- Нарушение полного внутреннего отражения;

- Регистрация рассеянного излучения на длинах волн основного информационного потока и комбинационных частотах;

- Параметрические методы регистрации проходящего излучения.

Способы, связанные с нарушения полного внутреннего отражения:

- Изменение угла падения. Использование внешнего воздействия для уменьшения угла падения до значения, меньшего значения предельного угла падения, при котором начинает наблюдаться полное внутреннее отражения.

- Изменение отношения показателя преломления оболочки к показателю преломления сердцевины оптоволокна. Использование внешнего воздействия для увеличения угла полного внутреннего отражения до значений, больших характерных углов падения в световоде.

- Оптическое туннелирование. Оптическое туннелирование состоит в прохождении излучения через оболочку оптоволокна с показателем преломления меньшим, чем у сердцевины, при углах падения больших угла полного внутреннего отражения.

Методы формирования каналов утечки:

1. по способу подсоединения:

.1 безразрывный;

.2 разрывный;

.3 локальный;

.4 протяженный.

. по способу регистрации и усиления:

.1 пассивные - регистрация излучения с боковой поверхности ОВ;

.2 активные - регистрация излучения, выводимого через боковую поверхность ОВ с помощью специальных средств, меняющих параметры сигнала в ВОЛТ;

.3 компенсационные - регистрация излучения, выводимого через боковую поверхность ОВ с помощью специальных средств с последующим формированием и вводом в ОВ излучения, компенсирующего потери мощности при выводе излучения

Пассивные методы основаны на том, что даже в стационарном режиме в обычных условиях небольшая часть рассеянного излучения всё же проникает за пределы волокна (то есть излучается) и может являться каналом утечки информации. Основной идеей является увеличение интенсивности этого излучения. Для несанкционированного доступа к информации с использованием такого рода методов необходимо использовать места усиленного бокового излучения, то есть следует снимать излучение в местах изгибов, а также в местах сварных соединений и соединений волокна с усилителями. Однако значительная мощность излучения наблюдается лишь в местах разъёмных соединений, то есть в коммутационных центрах, что сильно затрудняет несанкционированный доступ.

Активные методы выводят обычно бо́льшую мощность, но при этом происходит изменение параметров распространяющейся в волноводе волны (значительно падает поток энергии, возникает отражённая волна, изменяется модовая структура волны и т. д.), что может привести к обнаружению несанкционированного доступа. Таковыми методами являются, например: механический изгиб волокна, подключение фотоприемника с помощью ответвителя, вдавливание зондов в оболочку, бесконтактное соединение волокна, шлифование и растворение оболочки.

Естественным желанием является объединить скрытность и эффективность. Компенсационные методы призваны воплотить эту идею. Одна их реализация достаточна сложна в связи с наличием принципиальных ограничений. Так, например, вывод излучения из боковой поверхности волокна, формирование и обратный ввод волны, которая скомпенсирует выводимую мощность, должны осуществляться с высокой эффективностью к единице, тем не менее, распределение параметров волокна носит вероятностный характер, что мешает достичь желаемой скрытности. Технические реализации устройств такого рода, позволяющие на практике использовать компенсационные способы съёма информации в настоящее время не известны.

Другие публикации

Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2
В настоящее время машинные методы все шире используются при разработке радиоэлектронной аппаратуры. Особенно большое эти методы имеют при проектировании интегральных ...

Основы фотолитографического процесса
Фотолитография — процесс формирования на поверхности подложки (или основания изделия) элементов приборов микроэлектроники с помощью чувствительных к высокоэнергетичес ...

Меню

Copyright @2020, TECHsectors.ru.