Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС.
В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования:
получение исходных данных;
расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов;
разработка эскиза топологии;
разработка предварительных вариантов топологии;
выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.
Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов ИМС широкополосного усилителя, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая принципиальная и электрические параметры.
Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами.
Разработанная топология полупроводниковой ИМС – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем.
Другие публикации
Нелинейное представление информации, гипертекст и его использование в коммуникации
В эпоху современных информационных
технологий новые формы коммуникации получают стремительное распространение.
Наряду с привычным средствами массовой информации (прес ...
Автогенератор с буферным каскадом
Электрификация железнодорожного транспорта,
рост скоростей движения поездов и наметившееся увеличение грузопотока (особенно
за последний 1999 год) приводит к более ин ...