Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС.

В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования:

получение исходных данных;

расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов;

разработка эскиза топологии;

разработка предварительных вариантов топологии;

выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.

Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов ИМС широкополосного усилителя, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая принципиальная и электрические параметры.

Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами.

Разработанная топология полупроводниковой ИМС – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем.

Другие публикации

Однокристальные микроЭВМ семейства МК51
Восьмиразрядные высокопроизводительные однокристальные микроЭВМ (ОМЭВМ) семейства МК51 выполнены по высококачественной n-МОП технологий (серия 1816) и КМОП тех ...

Генератор строчной развертки
Для отклонения электронного луча как в передающих, так и в приемных трубках по горизонтали (строчная развертка) и по вертикали (кадровая развертка) используются генер ...

Меню

Copyright @2019, TECHsectors.ru.